**应用简介:**
SSM3K318T-VB是VBsemi品牌推出的N—Channel沟道MOSFET,采用SOT23-3封装,具有最大耐压60V、最大电流4A的特点。其低导通电阻(RDS(ON))为75mΩ,门源电压阈值(Vth)在1.7V范围内,适用于多种电子应用场景。
**SSM3K318T-VB 详细参数说明:**
- **丝印:** VB1695
- **品牌:** VBsemi
- **封装:** SOT23-3
- **类型:** N—Channel 沟道 MOSFET
- **最大耐压:** 60V
- **最大电流:** 4A
- **导通电阻:** RDS(ON) = 75mΩ @ VGS=10V,86mΩ@VGS=4.5V;
-VGS=±20V
- **门源电压阈值:** Vth = 1.7V
**应用举例:**
1. **电源管理模块:** 由于SSM3K318T-VB的中等耐压和较大电流特性,可应用于电源管理模块,提供可靠的电能转换和高效的电源输出。
2. **电机控制:** 在电机控制模块中,SSM3K318T-VB的N—Channel MOSFET特性使其成为电机驱动电路中的理想选择,实现电机的高效控制。
3. **电源逆变器:** 适用于电源逆变器模块,帮助实现直流电源到交流电源的高效转换,广泛应用于太阳能逆变器等领域。
4. **电池管理系统:** 在电池管理模块中,可作为充电和放电控制的关键元件,确保电池系统的安全运行。
**总结:**
SSM3K318T-VB适用于电源模块、电机控制、电源逆变器和电池管理系统等领域。其N—Channel MOSFET特性和SOT23-3封装使其在不同应用场景中具备高性能和可靠性。
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