**详细参数说明:**
- **型号:** SMG2310-VB
- **丝印:** VB1695
- **品牌:** VBsemi
- **封装:** SOT23-3
- **沟道类型:** N-Channel
- **最大耐压:** 60V
- **最大电流:** 4A
- **导通电阻 (RDS(ON)):** 75mΩ @ VGS=10V,86mΩ@VGS=4.5V;
-VGS=±20V
- **阈值电压 (Vth):** 1.7V
1. **电源管理模块:** 由于SMG2310-VB在低电压条件下具有较低的导通电阻,可用于电源管理模块中的电流控制和开关功能。
2. **驱动和放大电路:** 适用于需要N-Channel MOSFET的驱动和放大电路,如音频放大器、功率放大器等。
3. **LED驱动器:** 在LED照明领域,可用于设计LED驱动器,实现对LED灯的高效控制。
4. **电池保护模块:** 在需要对电池充放电进行精准控制的应用中,可以作为电池保护模块的关键组件。
5. **低电压电子设备:** 适用于便携式电子设备和其他低电压电路,以实现高效的电源管理和电流控制。
以上是一些可能的应用场景,具体选择应根据项目需求和电路设计要求。
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