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SI2310-VB 产品详细

产品简介:

应用简介:
SI2310-VB是一款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有高电压承受能力和适中的电流承受能力,低漏极-源极电阻以及可调的门源极阈值电压。这些特性使其在多种电子领域的模块中有广泛的应用。

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产品参数:

参数说明:
- 沟道类型:N沟道
- 额定电压:60V
- 最大电流:4A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):75mΩ@10V,86mΩ@VGS=4.5V;, 96mΩ@4.5V
- 门源极电压(±Vgs):±20V
- 门源极阈值电压(Vth)范围:1V至3V
- 封装类型:SOT23-3

领域和模块应用:

1. 电源模块:SI2310-VB可用于低至中功率的电源开关模块,以提供电能转换和电压调节功能。适用于各种消费电子产品、通信设备和工业设备。

2. 电流控制:在电流控制模块中,它可以用于电流控制、电流开关和电源管理,适用于电机控制、电源管理和电池保护。

3. 放大和信号切换:在放大和信号切换模块中,SI2310-VB可用于信号放大和开关功能,适用于音频放大器、通信界面和传感器界面等应用。

4. 电源管理:它还可以用于电源管理模块,以实现高效能源管理、电压调节和电流保护,适用于便携式电子设备、电池管理系统和充电器。

总之,SI2310-VB是一种多功能的N沟道MOSFET,适用于多个领域的电子模块,提供电源管理、电流控制、信号放大和电源管理功能。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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