SI2308DS-T1-GE3是一款高压、高电流承载能力的N沟道功率MOSFET。它的主要参数包括额定电压为60V,额定电流为4A,RDS(ON)为75mΩ @ 10V,86mΩ@VGS=4.5V;,96mΩ @ 4.5V,门源阈值电压范围为1V~3V,门源电压范围为±±20V,封装类型为SOT23-3。
SI2308DS-T1-GE3适用于多种领域和应用场景,主要用于需要N沟道功率MOSFET的电路。
型号:VB1695
品牌:VBsemi
参数:
- 频道类型:N沟道
- 额定电压:60V
- 额定电流:4A
- RDS(ON):75mΩ @ 10V,86mΩ@VGS=4.5V;,96mΩ @ 4.5V
- 门源阈值电压范围:1V~3V
- 门源电压范围:±±20V
- 封装类型:SOT23-3
1. 电源管理模块:SI2308DS-T1-GE3可用于电源管理模块中,以提供高效的电能转换和稳定的电流输出,特别适用于大功率电源。
2. 电动工具和家用电器:它可以应用于电动工具和家用电器中的电机驱动电路,用于提供高效、可靠的电力输出。
3. 汽车电子系统:SI2308DS-T1-GE3可用于汽车电子系统中的电源管理、电机驱动和照明控制等方面,满足汽车电子系统对高压和高功率的需求。
4. LED照明:在LED照明系统中,SI2308DS-T1-GE3可用作驱动电路的开关元件,以实现高效的电能转换和对LED灯的精确控制。
5. 工控系统和通信设备:SI2308DS-T1-GE3适用于工控系统和通信设备中的开关电路,用于实现高效的电源管理和电流控制。
综上所述,SI2308DS-T1-GE3是一款N沟道功率MOSFET,适用于电源管理模块、电动工具、家用电器、汽车电子系统、LED照明以及工控系统和通信设备等领域模块。它具有高压、高电流承载能力,适用于需要在大功率条件下工作的电路。
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