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SI2308BDS-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:

**应用简介:**  
SI2308BDS-T1-GE3-VB是一款SOT23-3封装的N—Channel沟道MOSFET,具有适用于多种应用场景的特性。

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产品参数:

型号:SI2308BDS-T1-GE3-VB  
丝印:VB1695  
品牌:VBsemi  

**参数:**  
- 封装:SOT23-3  
- 沟道类型:N—Channel  
- 最大电压:60V  
- 最大电流:4A  
- 开启电阻(RDS(ON)):75mΩ @ VGS=10V,86mΩ@VGS=4.5V;,
-VGS=±20V  
- 阈值电压(Vth):1.7V  

领域和模块应用:

1. **电源模块:** 适用于构建电源开关模块,提供高效和可靠的电源输出。

2. **电池管理:** 在充电和放电控制中,可用于电池管理电路,实现对电池的有效控制。

3. **LED驱动:** 由于其较高的最大电流能力,可能用于LED驱动电路,实现对LED的亮度调节。

4. **电机控制:** 在电机驱动电路中,可以用于电机控制模块,提供电机的可靠驱动。

5. **电源开关和逆变器:** 适用于构建各种电源开关和逆变器,用于电能的高效转换。

请注意,在使用这种器件时,确保参考其数据手册以获取详细的电性能和工作条件。不同的应用领域可能需要特定的设计和电路配置。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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