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RQK0606KGDQATL-E-VB 产品详细

产品简介:

**产品应用简介:**
RQK0606KGDQATL-E-VB是一款SOT23-3封装的N-Channel沟道MOSFET,具有60V最大耐压、4A最大电流和低的开通电阻。该器件适用于各种应用场景,特别是在需要控制电流、降低功耗的电子系统中表现优越。

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产品参数:

**产品型号:** RQK0606KGDQATL-E-VB

**丝印:** VB1695

**品牌:** VBsemi

**参数:**
- 封装:SOT23-3
- 沟道类型:N—Channel
- 最大耐压:60V
- 最大电流:4A
- 开通电阻:RDS(ON)=75mΩ @ VGS=10V,86mΩ@VGS=4.5V;
-VGS=±20V
- 阈值电压:Vth=1.7V

**封装:** SOT23-3

领域和模块应用:

**应用领域举例:**
1. **电源模块:** 由于其较低的开通电阻和高电流特性,适用于电源模块,有助于提高整体功率效率。
2. **电机驱动:** 可用于电机驱动模块,帮助实现精确的电机控制和高效的能量转换。
3. **电源开关:** 用作电源开关,有助于提高开关电源的性能和效率。

总体而言,RQK0606KGDQATL-E-VB适用于需要高性能N-Channel MOSFET的电子系统和模块,包括但不限于电源、电机控制和开关电源等领域。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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