**产品应用简介：**
ROK0604IGDQA-VB是一款SOT23-3封装的N-Channel沟道MOSFET，具有60V最大耐压、4A最大电流和低的开通电阻。该器件适用于各种应用场景，特别是在需要控制电流、降低功耗的电子系统中表现优越。
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**参数：**
- 封装：SOT23-3
- 沟道类型：N—Channel
- 最大耐压：60V
- 最大电流：4A
- 开通电阻：RDS(ON)=75mΩ @ VGS=10V，86mΩ@VGS=4.5V;
-VGS=±20V
- 阈值电压：Vth=1.7V
**封装：** SOT23-3
**应用领域举例：**
1. **电源模块：** 由于其较低的开通电阻和高电流特性，适用于电源模块，有助于提高整体功率效率。
2. **电机驱动：** 可用于电机驱动模块，帮助实现精确的电机控制和高效的能量转换。
3. **电源开关：** 用作电源开关，有助于提高开关电源的性能和效率。
总体而言，ROK0604IGDQA-VB适用于需要高性能N-Channel MOSFET的电子系统和模块，包括但不限于电源、电机控制和开关电源等领域。
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