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CES2336-VB 产品详细

产品简介:

**产品说明:**
VBsemi CES2336-VB是一款N-Channel沟道类型的功率MOSFET,具有60V的额定电压和4A的额定电流。其低静态漏极电阻(RDS(ON))表明在不同的电压条件下具有较低的导通电阻。阈值电压(Vth)在1.7V之间,适合各种电压控制的应用。

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产品参数:

**VBsemi CES2336-VB**

- **丝印:** VB1695
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
 - 封装:SOT23-3
 - 沟道类型:N-Channel
 - 额定电压:60V
 - 额定电流:4A
 - 静态漏极电阻(RDS(ON)):75mΩ @ VGS=10V,86mΩ@VGS=4.5V;
-VGS=±20V
 - 阈值电压(Vth):1.7V

领域和模块应用:

适用于SOT23-3封装的CES2336-VB MOSFET可在多种应用中发挥作用,包括但不限于:
1. **电源管理模块:** 由于其高电压和电流特性,可用于电源管理模块,如稳压器和开关电源。
2. **驱动模块:** 作为N-Channel MOSFET,适用于电机控制和其他驱动模块。
3. **LED照明:** 适用于LED驱动电路,提供高效的电流控制。
4. **电池保护:** 可用于电池管理模块,确保电池充放电过程中的高效性能。

**举例:**
在电源管理中,CES2336-VB可以用于开关电源的功率开关,提供高效率的能量转换。在LED照明中,它可以用于调光电路,通过调整阈值电压实现对LED亮度的有效控制。在电机驱动中,可用于电机控制模块,确保在各种负载条件下的高效能量转换。

请注意,具体应用需根据实际电路要求进行设计和验证。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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