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AM2398NE-T1-PF-VB 产品详细

产品简介:

AM2398NE-T1-PF-VB是VBsemi品牌推出的N—Channel沟道型MOSFET,采用SOT23-3封装。具有60V的最大耐压,4A的额定电流,以及卓越的导通电阻(RDS(ON))性能。阈值电压(Vth)在1.7V范围内,适用于多种电路控制需求。

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产品参数:

### 详细参数说明:

**型号:** AM2398NE-T1-PF-VB  
**丝印:** VB1695  
**品牌:** VBsemi  
**封装:** SOT23-3  
**参数:**  
- 沟道类型:N—Channel
- 最大耐压:60V
- 额定电流:4A
- 导通电阻:RDS(ON)=75mΩ @ VGS=10V,86mΩ@VGS=4.5V;
-VGS=±20V
- 阈值电压:Vth=1.7V

领域和模块应用:

### 适用领域和模块举例:

1. **电源管理模块:** 由于器件具有较高的最大耐压和适度的额定电流,可用于电源管理模块,例如稳压器和开关电源,以提供可靠的电源输出。

2. **电机驱动模块:** 4A的额定电流使其适用于小型电机的驱动,例如电动工具、风扇和其他电动设备。

3. **LED照明控制:** 低导通电阻和N—Channel沟道特性使其成为LED照明控制模块的理想选择,以确保高效的能量转换。

4. **电池管理:** 在需要电池管理的应用中,例如便携式电子设备,AM2398NE-T1-PF-VB可用于设计电池充放电管理模块,以提高电池使用效率。

总体而言,AM2398NE-T1-PF-VB适用于多个领域,特别是在需要高效电源管理和小型封装的应用中,能够提供可靠的性能。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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