产品简介：
CMN2310-VB是一款高性能N沟道MOSFET，具有低导通电阻和高漏电流承受能力，适用于各种需要高性能N沟道MOSFET的场合。
详细参数说明：
1. 额定参数：
- 额定电压：60V
- 最大持续漏电流：4A
- 导通电阻：75mΩ@VGS=10V，86mΩ@VGS=4.5V
2. 电气特性：
- 最大门源电压：±20V
- 门阈电压：1.7V
3. 封装信息：
- 封装类型：SOT23-3
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VBsemi的CMN2310-VB是一款N沟道MOSFET，主要参数如下：
- 额定电压：60V
- 最大持续漏电流：4A
- 导通电阻：在VGS=10V时为75mΩ，在VGS=4.5V时为86mΩ
- 最大门源电压：±20V
- 门阈电压：1.7V
封装为SOT23-3。
适用领域和模块举例：
CMN2310-VB适用于多种领域和模块，包括但不限于：
1. 电源管理模块：用于低压电源系统中的电源开关和电流控制。
2. 电机驱动模块：适用于需要控制电机转速和方向的电机驱动系统。
3. 照明控制模块：用于LED照明系统中的电源开关和电流控制。
4. 电池管理模块：适用于需要控制电池充放电的电池管理系统。
以上仅为举例，CMN2310-VB还可以在其他需要N沟道MOSFET的领域和模块中使用。
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