SMG2398NE-VB是VBsemi推出的N沟道场效应管产品，具有60V的耐压能力和4A的最大漏极电流。在VGS=10V时，其导通电阻RDS(ON)为75mΩ，在VGS=4.5V时为86mΩ。最大门源电压为±20V，阈值电压Vth为1.7V。封装为SOT23-3。
产品简介：
SMG2398NE-VB是一款高性能N沟道场效应管，具有较高的耐压能力和漏极电流，适用于需要高性能和可靠性的电路设计。该产品采用SOT23-3封装，适合在空间受限的应用场合中使用。
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详细参数说明：
- 品牌：VBsemi
- 型号：SMG2398NE-VB
- 极性：N沟道
- 耐压：60V
- 最大漏极电流：4A
- RDS(ON)：75mΩ@VGS=10V，86mΩ@VGS=4.5V
- 最大门源电压：±20V
- 阈值电压：1.7V
- 封装：SOT23-3
应用领域和模块举例：
1. 电源管理模块：SMG2398NE-VB可以用作低压降的开关器件，适用于电源管理模块和DC-DC转换器。
2. 电机驱动器：在需要控制电机的应用中，SMG2398NE-VB可以用于驱动各种类型的电机，如直流电机和步进电机。
3. LED驱动器：在LED照明应用中，SMG2398NE-VB可以用作LED驱动器的功率开关器件，实现高效的LED照明控制。
这些示例表明，SMG2398NE-VB适用于需要高性能和可靠性的电子设备和模块中，如电源管理、电机驱动和LED照明控制等领域。
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