**产品简介：**
SMG2358N-VB 是一款 N 沟道 MOSFET，工作电压为 60V，最大承受电流为 4A。在 VGS=10V 时，导通时的导通电阻 RDS(ON) 为 75mΩ，在 VGS=4.5V 时为 86mΩ。其门源电压 VGS 范围为 ±20V，阈值电压 Vth 为 1.7V。封装形式为 SOT23-3。
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**详细参数说明：**
- 品牌：VBsemi
- MOSFET 极性：N 沟道
- 最大工作电压：60V
- 最大承受电流：4A
- RDS(ON)：75mΩ @ VGS=10V，86mΩ @ VGS=4.5V
- 最大门源电压：±20V
- 阈值电压：1.7V
- 封装：SOT23-3
**应用领域和模块示例：**
1. **电源管理**：SMG2358N-VB 可用于电源管理模块中的电源开关，以提供高效的电源管理功能。
2. **驱动器**：在驱动器电路中，SMG2358N-VB 可用作驱动器开关，控制各种类型的负载。
3. **电动工具**：用于电动工具的电源开关，可以使用 SMG2358N-VB 实现高效的电源控制和管理。
4. **LED 照明**：SMG2358N-VB 可用于 LED 照明模块中的开关电路，以控制 LED 灯的亮度和开关。
5. **汽车电子**：在汽车电子系统中，SMG2358N-VB 可用于各种控制开关，如车灯控制、电池管理等。
以上是 SMG2358N-VB 的产品简介、详细参数说明以及在不同领域和模块中的应用示例。
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