### 产品简介
VBsemi CMN2308M-VB是一款N沟道MOSFET,适用于低压降和高开关速度的应用。其主要特点包括低导通电阻和低门极电荷,适用于需要高效能和高性能的电源管理和开关应用。
### 详细参数说明
- **封装类型**:SOT23-3
- **沟道类型**:N沟道
- **最大耐压**:60V
- **最大持续漏电流**:4A
- **导通电阻**:75mΩ(在VGS=10V时),86mΩ(在VGS=4.5V时)
- **门极-源极电压**:±20V
- **阈值电压**:1.7V
### 应用领域和模块示例
1. **电源管理模块**:CMN2308M-VB适用于低压降、高效能的DC-DC转换器,例如笔记本计算机适配器和便携式电子设备的电源管理模块。
2. **电机驱动**:由于其低导通电阻和高开关速度,CMN2308M-VB可用于驱动小型直流电机,例如机器人和无人机的电机驱动器。
3. **LED照明**:在LED照明应用中,CMN2308M-VB可以用作LED驱动器,实现高效能和精确的亮度控制。
4. **电池管理**:CMN2308M-VB可用于电池管理系统中的电源开关,实现对电池充电和放电的精确控制。
以上是关于VBsemi CMN2308M-VB MOSFET的产品简介、详细参数说明和应用领域和模块示例。
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