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UT2301G-AE3-R-VB 产品详细

产品简介:

UT2301G-AE3-R-VB是一款P-Channel沟道MOSFET,采用SOT23-3封装。其主要参数包括-20V的额定电压,-4A的额定电流,以及在不同门源电压下的开态电阻。

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产品参数:

型号: UT2301G-AE3-R-VB

丝印: VB2290

品牌: VBsemi

参数:

- 封装: SOT23-3
- 沟道类型: P—Channel
- 额定电压(V): -20V
- 额定电流(A): -4A
- 开态电阻(RDS(ON)): 80(mΩ)@VGS=2.5V、65(mΩ)@VGS=4.5V、60(mΩ)@VGS=10V;
VGS=12V
- 阈值电压(Vth): -0.81V

封装: SOT23-3

领域和模块应用:

**应用简介:**

UT2301G-AE3-R-VB适用于多种领域的电源和开关电路,具体包括但不限于:

1. **电源模块:** 适用于设计小型电源模块,提供高效的电源解决方案。

2. **电池管理:** 可用于便携设备和电池供电系统,有效控制电流和电压。

3. **开关电源:** 可用于开关电源中的功率开关部分,实现高效的电能转换。

4. **信号开关:** 在低电压、低功耗应用中,可用于实现信号的开关和调控。

5. **便携设备:** 由于其小型的SOT23-3封装和低功耗特性,适用于便携设备中的电源管理和开关电路。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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