STS3409L-VB - VBsemi MOS管制造商

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STS3409L-VB是一款P—Channel沟道的SOT23-3封装场效应晶体管，适用于多种电子模块和应用场景

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产品参数：

**STS3409L-VB 详细参数说明：**

- **丝印：** VB2290
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
- 封装：SOT23-3
- 沟道类型：P—Channel
- 最大承受电压：-20V
- 最大漏电流：-4A
- 开态电阻（RDS(ON)）：80（mΩ）@VGS=2.5V、65(mΩ)@VGS=4.5V、60(mΩ)@VGS=10V；
VGS=12V
- 阈值电压（Vth）：-0.81V

领域和模块应用：

1. **电源管理模块：** 由于其P—Channel沟道和低开态电阻特性，STS3409L-VB适用于电源开关和调节模块，有助于提高电源效率。

2. **电流控制模块：** 在需要对电流进行精确控制的应用中，如电机驱动和LED照明控制，该器件可以提供可靠的性能。

3. **电池管理模块：** 在便携式电子设备中，STS3409L-VB可用于电池管理电路，实现对电池电压的有效控制。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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