产品简介：
1. **电源管理模块：** 由于其P—Channel沟道的特性，可用于电源管理模块，提供高效率的功率开关控制。
2. **信号放大器：** 在需要P—Channel沟道的放大器电路中，STP2301S-TRG-VB能够提供稳定的性能，适合信号放大应用。
3. **电流控制模块：** 适用于电流控制模块，由于其低阻抗和负载调整能力，确保电流稳定。
4. **电池管理系统：** 在需要高度可控性和低功耗的电池管理系统中，STP2301S-TRG-VB可以发挥优势。
确保在使用前仔细查阅产品手册和规格，以确保正确的应用和性能。
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产品参数：
**详细参数说明：**
- 产品型号: STP2301S-TRG-VB
- 品牌: VBsemi
- 丝印: VB2290
- 封装: SOT23-3
- 沟道类型: P—Channel
- 最大耐压: -20V
- 最大电流: -4A
- RDS(ON): 80（mΩ）@VGS=2.5V、65(mΩ)@VGS=4.5V、60(mΩ)@VGS=10V；
VGS=12V
- 阈值电压 (Vth): -0.81V
领域和模块应用：
**应用简介：**
STP2301S-TRG-VB是VBsemi生产的P—Channel沟道SOT23-3封装MOSFET。具有低导通电阻（RDS(ON)）和适度最大电流的特性。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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