ST2301DS23RG-VB - VBsemi MOS管制造商

ST2301DS23RG-VB 产品详细

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**应用简介：**
ST2301DS23RG-VB是一款SOT23-3封装的P—Channel沟道场效应晶体管。其特性包括低导通电阻、适用于-20V的额定电压、-4A的额定电流，以及在不同门源电压下的性能表现。

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产品参数：

**ST2301DS23RG-VB**

- **丝印：** VB2290
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
- 封装：SOT23-3
- 沟道类型：P—Channel
- 额定电压：-20V
- 额定电流：-4A
- 导通电阻：RDS(ON) = 80（mΩ）@VGS=2.5V、65(mΩ)@VGS=4.5V、60(mΩ)@VGS=10V；
VGS=12V
- 阈值电压：Vth = -0.81V

**封装：** SOT23-3

领域和模块应用：

**适用领域和模块示例：**
1. **电源开关模块：** 由于低导通电阻和适中的额定电压，ST2301DS23RG-VB可用于电源开关模块，提高功率转换效率。

2. **电池保护：** 在需要P—Channel MOSFET的电池保护模块中，通过控制电流和电压，实现对电池的有效保护。

3. **信号放大器：** 用于需要P—Channel MOSFET的信号放大器模块，有助于实现信号调节和放大。

请根据具体电路设计和参数匹配选择合适的应用领域。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您

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