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SSM3J313T-VB 产品详细

产品简介:

SSM3J313T-VB是一款SOT23-3封装的P—Channel沟道场效应晶体管,适用于多种电路设计。

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产品参数:

VB Package Configuration VDS(V) VGS Vthyp(V) ID(A) Rds2.5 Rds4.5 Rds10 Technology
SOT23-3 Single-P-Channel -20V 12(±V) -0.8V -4A 80(mΩ) 65(mΩ) 60(mΩ)
SSM3J313T-VB 详细参数说明:
- 丝印: VB2290
- 品牌: VBsemi
- 参数:
- 封装: SOT23-3
- 沟道类型: P—Channel
- 最大承受电压: -20V
- 最大电流: -4A
- 导通电阻: RDS(ON)=80(mΩ)@VGS=2.5V、65(mΩ)@VGS=4.5V、60(mΩ)@VGS=10V;
VGS=12V
- 阈值电压: Vth=-0.81V

领域和模块应用:

1. **电源管理模块:** 由于SSM3J313T-VB具有P—Channel沟道,适用于电源管理模块,例如开关电源、电池管理等。

2. **电流控制模块:** 作为P—Channel沟道晶体管,可用于设计电流控制模块,如LED驱动电路,确保电流稳定控制。

3. **信号开关模块:** 在需要小信号开关的电路中,SSM3J313T-VB可用于设计信号开关模块,保证信号的可靠传输。

4. **放大器输出级:** 适用于放大器电路的输出级,确保输出信号的质量和稳定性。

请注意,具体的应用需根据电路设计的要求进行选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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