**详细参数说明：**

- **沟道类型：** P—Channel 指示这是一种P沟道场效应晶体管，适用于负载电流较小的应用。

- **最大漏电流：** -20V 的最大漏电流表明该晶体管在反向电压为20V时仍能保持正常工作。

- **最大漏极电流：** -4A 的最大漏极电流说明这款晶体管可以处理较大的电流负载。

- **开启电阻（RDS(ON)）：** RDS(ON) 为 65(mΩ)、80（mΩ）@VGS=2.5V、60(mΩ)@VGS=10V； 表示在给定的门源电压条件下，漏极和源极之间的导通电阻。

- **阈值电压（Vth）：** -0.81V 的阈值电压表示在此电压以下，晶体管将开始导通。

**应用简介：**

SMP2301-VB 这款 P-Channel 沟道 MOSFET 适用于各种电源管理和开关应用，可以被应用在便携式电子设备的电源管理模块，例如智能手机、平板计算机等。由于其小巧的 SOT23-3 封装和良好的电性能，它在有限的空间内提供高效的电源开关和管理功能，有助于延长电池寿命，并提高设备的整体性能。