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SI2351DS-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:

应用简介:
SI2351DS-T1-GE3-VB是一款P-Channel沟道MOSFET,适用于多种电路和模块设计,特别是在需要P-Channel MOSFET的低功耗和高性能应用中。

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产品参数:

参数:
- 封装类型:SOT23-3
- 沟道类型:P—Channel
- 最大漏电压(Vds):-20V
- 最大漏极电流(Id):-4A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):80(mΩ)@VGS=2.5V、65(mΩ)@VGS=4.5V、60(mΩ)@VGS=10V;
VGS=12V
- 阈值电压(Vth):-0.81V

封装:SOT23-3

领域和模块应用:

领域模块应用:
1. **电源管理模块:** 由于其P-Channel MOSFET特性,SI2351DS-T1-GE3-VB常用于电源管理模块,例如开关电源、电池管理系统等,以实现高效的功率转换和能量管理。

2. **电流控制模块:** 适用于需要对电流进行精确控制的模块,如电流源、电流放大器等。

3. **电池保护模块:** 用于电池充放电管理电路,提供高效的电池管理和保护功能。

4. **信号开关:** 在电子设备中可用于设计信号开关电路,实现信号的高效切换和传递。

5. **低功耗设备:** 由于其低阈值电压和低漏电流特性,适用于对功耗要求较高的设备,如便携式电子设备、传感器节点等。

请注意,以上是一些典型的应用场景,实际使用时需根据具体电路和系统要求进行选择和设计。在集成SI2351DS-T1-GE3-VB时,建议仔细阅读其数据手册以获取详细的电特性和操作信息。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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