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SI2333CDS-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:

应用简介:SI2333CDS-T1-GE3是一款适用于低电压、高电流的P沟道MOSFET。
其低导通电阻和小封装适合高效能、小型化的电路。

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产品参数:

SI2333CDS-T1-GE3 参数:P沟道, -20V, -4A, RDS(ON) 65(mΩ)、80(mΩ)@VGS=2.5V、60(mΩ)@VGS=10V;@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V), -0.81Vth(V), SOT23-3

领域和模块应用:

常用于电池供电设备、小型电子设备等。
优势:低导通电阻:有助于高效能电流开关控制。
适用于低电压:适用于低电压操作,如电池供电设备。
适用模块:SI2333CDS-T1-GE3适用于需要低电压、高电流开关控制的模块,如电池供电的小型设备、移动设备等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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