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Si2329DS-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:

**应用简介:**
VBsemi的Si2329DS-T1-GE3-VB是一款SOT23-3封装的P沟道场效应管,适用于低功率、负电压的电子应用。该器件在电源管理、信号开关和一些负电压电路中有广泛的应用。
Si2329DS-T1-GE3-VB是一款适用于低功率、负电压电子应用的P沟道场效应管,广泛应用于电源管理模块、信号开关模块以及一些负电压电路中。在使用时,请遵循相关的使用注意事项,以确保器件在各种应用场景下的可靠性和性能。

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产品参数:

**参数说明:**
- **型号:** Si2329DS-T1-GE3-VB
- **丝印:** VB2290
- **品牌:** VBsemi
- **封装:** SOT23-3
- **通道类型:** P—Channel沟道
- **工作电压:** -20V
- **最大电流:** -4A
- **导通电阻:** RDS(ON)=65(mΩ)、80(mΩ)@VGS=2.5V、60(mΩ)@VGS=10V;@VGS=4.5V, VGS=12V
- **阈值电压:** Vth=-0.81V

领域和模块应用:

**主要应用领域及模块:**
1. **电源管理模块:** Si2329DS-T1-GE3-VB可用于电源管理模块,作为电源开关或电源调整器件,提供低功耗的电源管理,特别适用于负电压电源。

2. **信号开关模块:** 适用于负电压条件下的信号开关模块,可用于实现在负电压条件下的信号切换和控制。

3. **负电压电路:** 由于器件是P沟道,适用于一些负电压电路,例如在负电压逻辑电路中的应用。

**作用:**
- **电流控制:** Si2329DS-T1-GE3-VB可作为电流控制的关键元件,通过调整其导通电阻来实现对电路中电流的控制。

- **信号切换:** 适用于信号开关模块,实现在负电压条件下的信号切换和控制。

**使用注意事项:**
1. **电源极性:** 由于是P沟道场效应管,注意器件适用的电源极性为负电压。

2. **散热设计:** 在高功率应用中,需要合理设计散热系统,确保器件工作在适当的温度范围内,以维持其性能和寿命。

3. **电压与电流限制:** 注意器件的最大工作电压和电流,不要超过规定的参数范围,以防止损坏器件。

4. **防静电措施:** 在搬运和使用过程中,请采取防静电措施,避免静电对器件的影响。

5. **参考数据手册:** 在设计电路时,请仔细阅读器件的数据手册,确保按照厂家提供的建议来设计和使用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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