产品简介：
SI2321DS-T1-GE3-VB是一款P—Channel沟道的SOT23-3封装场效应管。具有最大工作电压为-20V，最大电流为-4A，RDS(ON)为65(mΩ)、80（mΩ）@VGS=2.5V、60(mΩ)@VGS=10V；@VGS=4.5V, VGS=12V的特性。其阈值电压为-0.81V。在需要P—Channel沟道场效应管的场景中，如电源管理、电流控制等模块中具有广泛的应用潜力。
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产品参数：
产品型号：SI2321DS-T1-GE3-VB
- 丝印：VB2290
- 品牌：VBsemi
- 参数：
- 封装：SOT23-3
- 沟道类型：P—Channel
- 最大工作电压：-20V
- 最大电流：-4A
- RDS(ON)：65(mΩ)、80（mΩ）@VGS=2.5V、60(mΩ)@VGS=10V；@VGS=4.5V, VGS=12V
- 阈值电压(Vth)：-0.81V
领域和模块应用：
**适用领域和模块举例：**
1. **电源管理模块：** 由于其P—Channel沟道特性和适中的电流容量，SI2321DS-T1-GE3-VB可广泛应用于电源管理模块中，用于电池保护、电源开关等功能。
2. **电流控制模块：** 适用于需要对电流进行精确控制的模块，例如电机驱动模块、LED驱动模块等。
3. **信号放大器：** 可作为信号放大器的关键组件，用于放大微弱信号，例如在传感器界面电路中的应用。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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