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SI2305BDS-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:

**应用简介:**
SI2305BDS-T1-GE3-VB是VBsemi推出的P—Channel沟道SOT23-3封装MOSFET。具有低导通电阻(RDS(ON))和适度最大电流的特性

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产品参数:

**详细参数说明:**
- 产品型号: SI2305BDS-T1-GE3-VB
- 品牌: VBsemi
- 丝印: VB2290
- 封装: SOT23-3
- 沟道类型: P—Channel
- 最大耐压: -20V
- 最大电流: -4A
- RDS(ON): 80(mΩ)@VGS=2.5V、65(mΩ)@VGS=4.5V、60(mΩ)@VGS=10V;
VGS=12V
- 阈值电压 (Vth): -0.81V

领域和模块应用:

1. **电源管理模块:** 由于其P—Channel沟道的特性,可用于电源管理模块,提供高效率的功率开关控制。

2. **信号放大器:** 在需要P—Channel沟道的放大器电路中,SI2305BDS-T1-GE3-VB能够提供稳定的性能,适合信号放大应用。

3. **电流控制模块:** 适用于电流控制模块,由于其低阻抗和负载调整能力,确保电流稳定。

4. **电池管理系统:** 在需要高度可控性和低功耗的电池管理系统中,SI2305BDS-T1-GE3-VB可以发挥优势。

确保在使用前仔细查阅产品手册和规格,以确保正确的应用和性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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