产品简介：
应用简介：SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 是一款P沟道MOSFET，适用于需要控制电流的应用。
其低导通电阻使其在电流控制电路中表现出色。
常用于电源开关、电荷控制、功率放大等。
优势：低导通电阻：减少功耗，提高效率。
可靠性：VBsemi作为知名半导体品牌，产品经过严格的质量控制，具有高的可靠性。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-3 |
Single-P-Channel |
-20V |
12（±V） |
-0.8V |
-4A |
80（mΩ） |
65(mΩ) |
60(mΩ) |
|
SI2301DS-T1-GE3 (VB2290)参数说明:极性：P沟道；额定电压：-20V；最大电流：-4A；导通电阻：80（mΩ）@VGS=2.5V、65(mΩ)@VGS=4.5V、60(mΩ)@VGS=10V；门源电压范围：12Vgs (±V)阈值电压：-0.81V；封装：SOT23-3
领域和模块应用：
适用封装：SOT23-3封装适合空间有限的设计。
适用模块：SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 适用于需要电流控制的模块，如电源开关模块、电荷控制模块等。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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