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SI2301DS-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:

应用简介:SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 是一款P沟道MOSFET,适用于需要控制电流的应用。
其低导通电阻使其在电流控制电路中表现出色。
常用于电源开关、电荷控制、功率放大等。
优势:低导通电阻:减少功耗,提高效率。
可靠性:VBsemi作为知名半导体品牌,产品经过严格的质量控制,具有高的可靠性。

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产品参数:

SI2301DS-T1-GE3 (VB2290)参数说明:极性:P沟道;额定电压:-20V;最大电流:-4A;导通电阻:80(mΩ)@VGS=2.5V、65(mΩ)@VGS=4.5V、60(mΩ)@VGS=10V;门源电压范围:12Vgs (±V)阈值电压:-0.81V;封装:SOT23-3

领域和模块应用:

适用封装:SOT23-3封装适合空间有限的设计。
适用模块:SI2301DS-T1-GE3 (VB2290) 适用于需要电流控制的模块,如电源开关模块、电荷控制模块等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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