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SI2301CDS-T1-GE3-VB 产品详细

产品简介:

应用简介:
SI2301CDS-T1-GE3-VB是一款P沟道MOSFET,适用于多种电子设备和电路中,特别适用于需要功率开关和负载开关的应用。
SI2301CDS-T1-GE3-VB是一款P沟道MOSFET,具有广泛的应用领域,包括电源开关、负载开关、电池保护和电机驱动等多个领域的模块。其特性使其成为各种电子设备和系统中的关键组成部分,有助于提高效率、可靠性和功率管理能力。

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产品参数:

型号:SI2301CDS-T1-GE3-VB
丝印:VB2290
品牌:VBsemi
参数说明:
- MOSFET类型:P沟道
- 额定电压:-20V
- 最大电流:-4A
- 导通电阻(RDS(ON)):65(mΩ)、80(mΩ)@VGS=2.5V、60(mΩ)@VGS=10V; @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V, 12Vgs
- 阈值电压(Vth):-0.81V
- 封装:SOT23-3

领域和模块应用:

1. **电源开关模块**:
- 由于其P沟道MOSFET的特性,SI2301CDS-T1-GE3-VB适用于电源开关模块,可用于功率开关和电源管理。
- 在便携式电子设备、电池管理系统、充电器和适配器中用于实现高效的电能转换和管理。

2. **负载开关模块**:
- 该MOSFET的低导通电阻和高电流承受能力使其成为负载开关模块的理想选择。
- 在LED照明、电机控制、工业自动化等领域中用于高效的负载开关控制。

3. **电池保护模块**:
- SI2301CDS-T1-GE3-VB可用于电池保护模块,用于控制和保护锂电池等电池的充电和放电。
- 在便携式电子设备、电池组装设备、电动工具中用于保护电池免受过充和过放的损害。

4. **电机驱动模块**:
- 该MOSFET可用于电机驱动模块,提供电机控制和驱动。
- 在电动工具、电动汽车电机控制、工业电机控制等领域中用于提高电机的性能和效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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