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NTRV4101PT1G-VB 产品详细

产品简介:

应用简介:
NTRV4101PT1G-VB是一款P—Channel沟道MOSFET,采用SOT23-3封装,适用于多种领域和模块。

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产品参数:

详细参数:
- 产品型号:NTRV4101PT1G-VB
- 丝印:VB2290
- 品牌:VBsemi
- 封装:SOT23-3
- 沟道类型:P—Channel
- 最大电压:-20V
- 最大电流:-4A
- 开态电阻:65(mΩ)、80(mΩ)@VGS=2.5V、60(mΩ)@VGS=10V;@VGS=4.5V,VGS=12V
- 阈值电压:Vth=-0.81V

领域和模块应用:

1. **电源管理模块:** 由于其出色的电流和电压性能,适用于电源管理模块,确保高效且可靠的电源供应。

2. **DC-DC转换器:** 作为P—Channel MOSFET,可用于DC-DC转换器中的功率开关,提高系统的能效。

3. **电流限制和保护模块:** 具有低开态电阻,可应用于电流限制和超载保护模块,提供对系统的有效保护。

4. **信号开关:** 在各种电子设备中,如通信设备、音频放大器等,可作为信号开关元件。

这些特性使得NTRV4101PT1G-VB在电源管理、电子设备控制以及功率调节等领域都具有广泛的应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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