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NTR4101PT1G-VB 产品详细

产品简介:

应用简介:
NTR4101PT1G-VB是一款P沟道MOSFET,适用于多种低电压和低功率电子应用的P沟道MOSFET。它在电源管理、低功耗电子、信号开关、电池保护和驱动器等多个领域具有广泛的应用潜力。

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产品参数:

参数:
- 沟道类型:P沟道
- 额定电压:-20V
- 额定电流:-4A
- 开通电阻(RDS(ON)):65(mΩ)、80(mΩ)@VGS=2.5V、60(mΩ)@VGS=10V; @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V
- 门极-源极阈值电压范围(Vth):-0.81V
- 门极驱动电压范围:±12V
- 封装类型:SOT23-3

领域和模块应用:

1. **电源开关**:这款MOSFET可用于便携式设备、低功耗电源和电池供电设备中的电源管理电路。它可以实现电源开关、电池保护和能源转换。

2. **低功耗电子**:NTR4101PT1G-VB适用于需要低功耗运行的电子设备,如传感器节点、嵌入式系统和物联网(IoT)设备。它有助于降低功耗,延长电池寿命。

3. **信号开关**:在各种信号开关应用中,这种MOSFET可以用作信号放大和切换电路的一部分,以控制信号传输和处理。

4. **充电保护**:NTR4101PT1G-VB还可以用于充电电路中,以实现电池充电管理和保护,确保充电过程安全和高效。

5. **驱动器和开关电路**:这款MOSFET可用于驱动器和开关电路,如电机驱动、开关控制、放大器和信号处理。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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