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NTR2101PT1G-VB 产品详细

产品简介:

应用简介:
NTR2101PT1G-VB是一款P沟道场效应晶体管(MOSFET)器件,具有适中的电流承受能力和适用于低电压应用的低漏极-源极电阻。这使其在多种电子应用领域中非常有用。

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产品参数:

参数说明:
- 极性:P沟道
- 额定电压:-20V
- 最大连续漏极电流:-4A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):80(mΩ)@VGS=2.5V、65(mΩ)@VGS=4.5V、60(mΩ)@VGS=10V;
- 门极-源极电压(Vgs):12V(±V)
- 开启电压(门极阈值电压):-0.81V
- 封装:SOT23-3

领域和模块应用:

应用领域:
1. **电源模块**:由于NTR2101PT1G-VB适用于低电压应用,并具有适中的电流承受能力,它可用于电源管理模块、电池保护和低电压电源管理。

2. **信号开关**:这种MOSFET器件可用于各种低电压信号开关应用,例如低电压信号切换和电路保护。

3. **便携式设备**:NTR2101PT1G-VB可用于便携式设备的电源管理、信号开关和电池管理,如智能手机、平板计算机和便携式电子设备。

4. **低电压电源**:在低电压应用中,这种MOSFET适用于低电压电源管理、DC-DC变换器和低电压电路。

总之,NTR2101PT1G-VB是一款多功能的电子器件,适用于需要低电压、适中电流承受能力、低电阻和可靠性的各种电子应用领域。它可以用于电源管理、信号开关、便携式设备、低电压电源等模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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