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NTR0202PLT3G-VB 产品详细

产品简介:

NTR0202PLT3G-VB是一款P-Channel沟道MOSFET,适用于多种电子应用。

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产品参数:

**详细参数说明:**

- 封装类型:SOT23-3
- 沟道类型:P—Channel
- 最大工作电压:-20V
- 最大连续漏极电流:-4A
- 漏极-源极电阻(RDS(ON)):80(mΩ)@VGS=2.5V、65(mΩ)@VGS=4.5V、60(mΩ)@VGS=10V;
VGS=12V
- 阈值电压(Vth):-0.81V

领域和模块应用:

1. **电源管理模块:** 由于其P-Channel MOSFET的特性,NTR0202PLT3G-VB可用于电源管理模块,如电源开关、电流控制等,确保高效的电能转换和稳定的电源输出。

2. **信号放大器和调制器:** 适用于需要信号放大或调制的应用,例如在通信设备中的射频模块。

3. **便携式电子设备:** NTR0202PLT3G-VB的SOT23-3封装适用于小型、轻便的电子设备,如智能手表、便携音频设备等,以实现低功耗和高效的设计。

4. **电池管理系统:** 在需要对电池进行有效管理的系统中,NTR0202PLT3G-VB可用于电池充放电控制,延长电池寿命。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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