产品简介：
应用简介：
NTR0202PLT1G是一款P沟道MOSFET，适用于低压和中等电流的应用。其最大耐压为-20V，最大电流为-4A，具有低导通电阻和高性能。
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产品参数：
详细参数说明：
- 类型：P沟道MOSFET
- 最大耐压：-20V
- 最大电流：-4A
- 导通电阻：65(mΩ)、80（mΩ）@VGS=2.5V、60(mΩ)@VGS=10V； @4.5V, 83mΩ @2.5V
- 门源电压：12Vgs (±V)
- 门阈电压：-0.81Vth
- 封装：SOT23-3
领域和模块应用：
该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括：
1. 电源管理模块：适用于低压电源管理和负载开关控制。
2. 转换器模块：可用于低压转换器和逆变器的输出调节。
3. 消费电子产品：适用于低压电池供电设备和便携式电子产品等。
总之，NTR0202PLT1G适用于低压和中等电流应用领域的模块设计，包括电源管理、转换器模块和消费电子产品等。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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