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NDS336P-NL-VB 产品详细

产品简介:

应用简介:
NDS336P-NL-VB是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具有负向电压承受能力和低漏极-源极电阻。这些特性使其在多种电子领域的模块中有广泛的应用。

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产品参数:

参数说明:
- 沟道类型:P沟道
- 额定电压:-20V
- 最大电流:-4A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):65(mΩ)、80(mΩ)@VGS=2.5V、60(mΩ)@VGS=10V;@4.5V, 83mΩ@2.5V
- 门源极电压(±Vgs):12V
- 门源极阈值电压(Vth):-0.81V
- 封装类型:SOT23-3

领域和模块应用:

1. 电源模块:NDS336P-NL-VB可用于电源开关模块,以提供电源开关功能和电压调节,适用于各种电子设备和电源系统。

2. 电流控制:在电流控制模块中,它可以用于电流开关和控制,适用于电机控制、电源管理和电流保护。

3. 放大和信号切换:在放大和信号切换模块中,NDS336P-NL-VB可用于信号放大和开关功能,适用于音频放大器、通信界面和传感器界面等应用。

4. 逆变器:它还可以用于逆变器电路,将直流电源转换为交流电源,适用于太阳能逆变器、电动汽车逆变器和UPS系统。

总之,NDS336P-NL-VB是一种多功能的P沟道MOSFET,适用于多个领域的电子模块,提供电源管理、电流控制、信号放大和逆变功能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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