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M21X-VB 产品详细

产品简介:

**应用简介:**
适用于需要P—Channel MOSFET的电路和模块,特别是在需要较低阻抗和较小阈值电压的场合。

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产品参数:

M21X-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应晶体管,具体参数如下:
- 封装:SOT23-3
- 最大工作电压:-20V
- 最大电流:-4A
- RDS(ON):80(mΩ)@VGS=2.5V、65(mΩ)@VGS=4.5V、60(mΩ)@VGS=10V;
VGS=12V
- 阈值电压:Vth=-0.81V

领域和模块应用:

**示例应用:**
1. **电源管理模块:** 由于低阻抗和适中的电流容量,适用于电源开关和调节模块。

2. **LED驱动:** 在需要反相控制的LED驱动电路中,可以使用M21X-VB。

3. **电池保护电路:** 由于小型SOT23-3封装和低阈值电压,适用于电池保护电路,确保在低电压状态下切断电池。

请注意,具体应用需根据项目的电气要求和设计参数进行验证。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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