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LML6402G-VB 产品详细

产品简介:

VBsemi LML6402G-VB MOSFET是一款P-Channel沟道的金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)。其SOT23-3封装使其适用于小型电子设备,提供了在-20V电压下工作的能力,最大电流为-4A。其低静态电阻(RDS(ON)=65(mΩ)、80(mΩ)@VGS=2.5V、60(mΩ)@VGS=10V;)在不同工作电压下表现优异,特别在4.5V和12V时。

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产品参数:

**VBsemi LML6402G-VB MOSFET**

- **丝印:** VB2290
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装类型:SOT23-3
- 沟道类型:P—Channel
- 额定电压:-20V
- 额定电流:-4A
- 静态电阻:80(mΩ)@VGS=2.5V、65(mΩ)@VGS=4.5V、60(mΩ)@VGS=10V;
VGS=12V
- 阈值电压:Vth=-0.81V

- **封装:** SOT23-3

领域和模块应用:

这款MOSFET适用于多种领域和模块,其中包括但不限于:
1. **电源模块:** 由于其低电阻和高效能,可用于电源开关模块,提供电源管理和调节功能。
2. **电机驱动:** 在电机控制中,LML6402G-VB可用于电机驱动模块,实现高效能的电机控制。
3. **LED照明:** 作为LED驱动器的一部分,用于调光和电源管理,确保LED照明系统的稳定性和效率。
4. **电荷管理:** 在电池充放电管理中,这款MOSFET可以用于控制电流,提高电池管理的效率。

**举例说明:**
假设在一个电源模块中,需要一个高效的开关元件来管理电流。VBsemi LML6402G-VB MOSFET可用于此应用,通过其P-Channel沟道、低电阻和SOT23-3封装,能够在小型封装中实现高效能的电源开关,适用于便携电子设备、无线通信等领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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