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KDV-VB 产品详细

产品简介:

**应用简介:**

KDV-VB是一款P-Channel沟道MOSFET,广泛应用于各种电子领域和模块中。

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产品参数:

**详细参数说明:**

- 封装类型:SOT23-3
- 沟道类型:P—Channel
- 最大工作电压:-20V
- 最大连续漏极电流:-4A
- 漏极-源极电阻(RDS(ON)):80(mΩ)@VGS=2.5V、65(mΩ)@VGS=4.5V、60(mΩ)@VGS=10V;
VGS=12V
- 阈值电压(Vth):-0.81V

领域和模块应用:

1. **低功耗电子设备:** 由于KDV-VB具有低漏极电流和低功耗特性,适用于侧重于能效和电池寿命的便携式电子设备,如智能手表、便携式音频设备等。

2. **电源管理模块:** 作为P-Channel MOSFET,KDV-VB在电源管理模块中可以用于电源开关和电流控制,确保高效的电能转换和稳定的电源输出。

3. **信号放大器和调制器:** 由于其封装类型为SOT23-3,适用于在有限空间内需要进行信号放大或调制的应用,如通信设备中的射频模块。

4. **可穿戴设备:** 在需要小型、轻便的可穿戴设备中,KDV-VB可以用于控制电流、开关电源以及其他功耗优化的应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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