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IRLML6401GTRPBF-VB 产品详细

产品简介:


IRLML6401GTRPBF-VB是一种P沟道MOSFET,适用于多种电子应用,尤其是在有限的空间内需要高性能的情况下。然而,在选择和使用该器件时,仍然需要详细了解其数据手册和性能参数,以确保其满足特定应用的要求。

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产品参数:

参数:
- 类型:P沟道
- 最大耐压:-20V
- 最大电流:-4A
- 静态开启电阻 (RDS(ON)):65(mΩ)、80(mΩ)@VGS=2.5V、60(mΩ)@VGS=10V; @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V
- 门源极电压 (Vgs):12V (±V)
- 阈值电压 (Vth):-0.81V
- 封装类型:SOT23-3

领域和模块应用:

1. 电源模块:这款MOSFET可用于电源模块中的功率开关,帮助提高电源管理的效率,适用于便携式设备、嵌入式系统和电源逆变器。

2. 电池管理:它还可以用于电池管理系统中,控制电池的充电和放电,确保电池的安全和性能。

3. 低功耗电子:由于其低导通电阻和适中的电流承受能力,适用于需要低功耗操作的电子设备,如传感器节点、便携式医疗设备和无线通信模块。

4. 模拟电路:在一些模拟电路中,如信号放大器和滤波器,可以使用IRLML6401GTRPBF-VB来实现精确的信号控制。

5. LED驱动:可用于LED照明应用中,帮助实现高效的LED灯控制和驱动。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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