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GE2301-VB 产品详细

产品简介:

**应用简介:**
GE2301-VB是一款P—Channel沟道的SOT23-3封装MOSFET。其特性包括较低的导通电阻(RDS(ON))和适度的最大电流。适用于需要P—Channel MOSFET的电路设计

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产品参数:

**详细参数说明:**
- 产品型号: GE2301-VB
- 品牌: VBsemi
- 丝印: VB2290
- 封装: SOT23-3
- 沟道类型: P—Channel
- 最大耐压: -20V
- 最大电流: -4A
- RDS(ON): 80(mΩ)@VGS=2.5V、65(mΩ)@VGS=4.5V、60(mΩ)@VGS=10V;
VGS=12V
- 阈值电压 (Vth): -0.81V

领域和模块应用:

1. **电源管理模块:** 由于其负责电流的能力和低导通电阻,可用于电源管理模块,提供高效能的功率开关控制。

2. **信号放大器:** 在需要P—Channel沟道的放大器电路中,GE2301-VB能够提供稳定的性能,适合信号放大应用。

3. **电流控制模块:** 由于其低阻抗和负载调整能力,可用于电流控制模块,确保电流稳定。

4. **电池管理系统:** 在需要高度可控性和低功耗的电池管理系统中,GE2301-VB可以发挥其优势。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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