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FDN336P-NL-VB 产品详细

产品简介:

应用简介:
FDN336P-NL-VB是一款P沟道场效应晶体管(MOSFET)器件,具有低漏极-源极电阻和低功耗,适用于多种低压低功率电子应用。

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产品参数:

参数说明:
- 极性:P沟道
- 额定电压:-20V
- 最大连续漏极电流:-4A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):80(mΩ)@VGS=2.5V、65(mΩ)@VGS=4.5V、60(mΩ)@VGS=10V;
- 门极-源极电压(Vgs):12V(±V)
- 开启电压(门极阈值电压):-0.81V
- 封装:SOT23-3

领域和模块应用:

应用领域:
1. **便携式设备**:FDN336P-NL-VB常用于便携式设备中,如智能手机、平板计算机和便携式音频设备,用于电源管理、电池保护和信号开关。

2. **电池管理**:在便携式设备和低功耗传感器中,这种MOSFET器件可用于电池保护、电池均衡和低功耗电池管理。

3. **信号开关**:FDN336P-NL-VB可用于低压低功耗信号开关和模拟开关,用于控制电路的开关和信号传输。

4. **嵌入式系统**:在嵌入式系统、传感器界面和小型控制器中,这款MOSFET也可用于低功耗电子应用。

总之,FDN336P-NL-VB是一款低压低功耗的P沟道MOSFET,适用于需要低漏极-源极电阻和低功耗的各种低压低功率电子应用领域。它可以用于便携式设备、电池管理、信号开关和嵌入式系统等模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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