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DMP2012SN-7-VB 产品详细

产品简介:

**应用简介:**

DMP2012SN-7-VB是一款P—Channel沟道的SOT23-3封装场效应晶体管,适用于多种电子模块和应用场景。

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产品参数:

**DMP2012SN-7-VB 详细参数说明:**

- **丝印:** VB2290
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
- 封装:SOT23-3
- 沟道类型:P—Channel
- 最大承受电压:-20V
- 最大漏电流:-4A
- 开态电阻(RDS(ON)):80(mΩ)@VGS=2.5V、65(mΩ)@VGS=4.5V、60(mΩ)@VGS=10V;
VGS=12V
- 阈值电压(Vth):-0.81V

领域和模块应用:

**适用领域和模块举例:**

1. **电源管理模块:** 由于其P—Channel沟道和低开态电阻特性,DMP2012SN-7-VB适用于电源开关和调节模块,有助于提高电源效率。

2. **电流控制模块:** 在需要对电流进行精确控制的应用中,如电机驱动和LED照明控制,该器件可以提供可靠的性能。

3. **电池管理模块:** 在便携式电子设备中,DMP2012SN-7-VB可用于电池管理电路,实现对电池电压的有效控制。

总的来说,这款器件在需要P—Channel沟道和低功耗的场合下,特别适用于电源、电流控制和电池管理等模块的设计与应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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