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DMG2301U-7-VB 产品详细

产品简介:

应用简介:
DMG2301U-7-VB是一款P沟道场效应晶体管(MOSFET)器件,具有适中电流承受能力和低漏极-源极电阻,适用于多种电子应用领域。

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产品参数:

参数说明:
- 极性:P沟道
- 额定电压:-20V
- 最大连续漏极电流:-4A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):80(mΩ)@VGS=2.5V、65(mΩ)@VGS=4.5V、60(mΩ)@VGS=10V;
- 门极-源极电压(Vgs):12V(±V)
- 开启电压(门极阈值电压):-0.81V
- 封装:SOT23-3

领域和模块应用:

应用领域:
1. **电源模块**:DMG2301U-7-VB适用于开关电源、电源管理模块和电池保护电路,有助于提高电能转换效率,特别适用于低电压电源管理。

2. **电池管理**:在便携式设备、电动工具和嵌入式系统中,DMG2301U-7-VB可用于电池保护和管理,确保电池的安全充放电和保护。

3. **信号开关**:这种MOSFET器件可用于信号开关、模拟开关和低功耗电路中,用于控制电路的开关和信号传输。

4. **便携式设备**:DMG2301U-7-VB可用于便携式设备的电源管理、信号开关和电池保护,如智能手机、平板计算机和便携式电子设备。

5. **低功耗电子**:由于其低漏极-源极电阻和低门极阈值电压,这种MOSFET器件可用于低功耗电子应用,如传感器界面、小型控制器和嵌入式系统。

总之,DMG2301U-7-VB是一款多功能的电子器件,适用于需要适中电流承受能力、低电阻和可靠性的各种电子应用领域。它可以用于电源管理、电池保护、信号开关、便携式设备和低功耗电子等模块。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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