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CES2321-VB 产品详细

产品简介:

**应用简介:**

CES2321-VB是一款P沟道MOSFET晶体管,具有负电压承受能力,适用于多种应用领域。

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产品参数:

**详细参数说明:**
- 通道类型: P沟道
- 额定电压: -20V
- 最大持续电流: -4A
- 导通电阻 (RDS(ON)): 65(mΩ)、80(mΩ)@VGS=2.5V、60(mΩ)@VGS=10V; @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V, 12Vgs
- 阈值电压 (Vth): -0.81V
- 封装类型: SOT23-3

领域和模块应用:

1. **电源管理模块**:
CES2321-VB的负电压承受能力和低导通电阻使其成为电源管理模块的理想选择,特别适用于负电压开关和反向电源保护。

2. **信号放大器**:
在放大器电路中,CES2321-VB可用于信号放大模块的负电压保护和开关控制,确保信号放大器的稳定性和可靠性。

3. **电池管理**:
该MOSFET晶体管可用于电池管理模块,用于控制电池充电和放电的开关,确保电池的安全和有效性。

4. **电源反向保护**:
CES2321-VB是理想的电源反向保护开关,可用于各种电子设备,以防止误连接电源极性,从而保护设备免受损害。

5. **电子开关**:
该晶体管可用于各种电子开关,如电子锁、开关电路和电子控制器,以控制电路的通断状态。

总之,CES2321-VB适用于需要负电压承受和开关控制的应用,如电源管理、信号放大器、电池管理、电源反向保护和电子开关等领域的模块。其参数使其成为各种电子设备中的理想选择,以确保高效、可靠和稳定的运行,并保护设备免受不希望的电压情况的影响。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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