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AP2313GN-VB 产品详细

产品简介:

**应用简介:**
AP2313GN-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应晶体管,采用SOT23-3封装。该产品适用于需要高性能P—Channel晶体管的电路设计,具有低漏极电阻和高性能的特点。

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产品参数:

**详细参数说明:**
- **型号:** AP2313GN-VB
- **丝印:** VB2290
- **品牌:** VBsemi
- **封装:** SOT23-3
- **沟道类型:** P—Channel
- **最大漏极-源极电压:** -20V
- **最大漏极电流:** -4A
- **漏极电阻:** RDS(ON) = 80(mΩ)@VGS=2.5V、65(mΩ)@VGS=4.5V、60(mΩ)@VGS=10V;
VGS=12V
- **阈值电压:** Vth = -0.81V

领域和模块应用:

**应用示例:**
1. **电源管理模块:** 由于其P—Channel性质和低漏极电阻,AP2313GN-VB可用于电源开关和调节电路,提高电源模块的效率。
2. **电机驱动模块:** 在需要高效能量转换和电机控制的领域,AP2313GN-VB可作为电机驱动模块中的重要元件。
3. **电池保护:** 适用于电池保护电路,确保电池在充电和放电过程中的安全和稳定性。

总体而言,AP2313GN-VB在需要P—Channel沟道场效应晶体管的电路设计中发挥关键作用,尤其在电源管理、电机驱动和电池保护等领域具有广泛应用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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