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AP2307GN-VB 产品详细

产品简介:

AP2307GN-VB是一款P沟道MOSFET,适用于多种低功耗电子应用

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产品参数:

参数:
- 类型:P沟道
- 最大耐压:-20V
- 最大电流:-4A
- 静态开启电阻 (RDS(ON)):65(mΩ)、80(mΩ)@VGS=2.5V、60(mΩ)@VGS=10V; @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V
- 门源极电压 (Vgs):12V (±V)
- 阈值电压 (Vth):-0.81V
- 封装类型:SOT23-3

领域和模块应用:

1. 电源管理:这款MOSFET可用于低压降的电源开关,以改善电源管理的效率。它适用于便携式设备、嵌入式系统和低功耗电源模块。

2. DC-DC转换器:AP2307GN-VB可以用于DC-DC转换器中,将一个低电压转换成另一个电压,适用于电池驱动的便携式设备、无线通信模块和传感器节点。

3. 电池管理:在电池充电和放电控制电路中,这款MOSFET可以帮助实现高效的电池管理,确保电池的安全和性能。

4. 低功耗电子:由于其低导通电阻和低电压特性,适用于需要低功耗操作的电子设备,如便携式医疗设备、传感器和控制电路。

5. 电源开关:AP2307GN-VB可用于各种低功耗电源开关应用,包括电子终端、便携式音频设备和控制系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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