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AP2305GN-VB 产品详细

产品简介:

这种型号的P沟道MOSFET适用于多种领域的电子设备和模块,以满足功率开关和电源管理的需求,特别是需要处理负电压电源的应用。由于其低漏极-源极电阻,适用于高功率应用。

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产品参数:

参数: P沟道, -20V, -4A, RDS(ON) 65(mΩ)、80(mΩ)@VGS=2.5V、60(mΩ)@VGS=10V; @ 4.5V, 83mΩ @ 2.5V, 12Vgs (±V); -0.81Vth (V)
封装: SOT23-3

领域和模块应用:

应用简介:
这种型号的P沟道MOSFET通常用于各种电源管理和开关应用,包括但不限于以下领域和模块:

1. 电源开关:这种MOSFET可用于电源开关模块,例如DC-DC转换器,以实现高效的电能转换。
2. 电池管理:它可用于电池保护电路,以控制电池充放电和防止过放电。
3. 电源逆变器:在太阳能逆变器和UPS(不间断电源)中,P沟道MOSFET可用于控制电能的流向。
4. 电源选择和开关:它可以用于电源选择器和电源开关,以在不同电源之间切换。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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