产品简介：
**应用简介:**
适用于SOT23-3封装的P—Channel沟道场效应晶体管，具有低漏电流、高漏极电流和低阻态漏极电阻等特性。广泛应用于电子设备和模块中。
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产品参数：
| VB Package |
Configuration |
VDS(V) |
VGS |
Vthyp（V） |
ID(A) |
Rds2.5 |
Rds4.5 |
Rds10 |
Technology |
| SOT23-3 |
Single-P-Channel |
-20V |
12（±V） |
-0.8V |
-4A |
80（mΩ） |
65(mΩ) |
60(mΩ) |
|
**详细参数说明:**
- **型号:** AFP2367ASS23RG-VB
- **丝印:** VB2290
- **品牌:** VBsemi
- **封装:** SOT23-3
- **参数:**
- P—Channel沟道
- 最大负电压：-20V
- 最大漏极电流：-4A
- 静态漏极电阻：65(mΩ)、80（mΩ）@VGS=2.5V、60(mΩ)@VGS=10V；@VGS=4.5V, VGS=12V
- 阈值电压：-0.81V
领域和模块应用：
**适用领域和模块示例:**
1. **电源管理模块:**
- 用于低压降电源开关电路，提供高效能的电源管理。
2. **信号放大模块:**
- 适用于放大和控制信号，保障高质量的信号传输。
3. **电流控制模块:**
- 在需要精确电流控制的场合，如LED驱动器、电机控制器等。
4. **低功耗应用:**
- 由于低阈值电压和低漏电流，适用于对功耗要求较为苛刻的电子设备。
请注意，实际应用需根据具体设计要求和电路特点进行评估。
*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性
技术支持：
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