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ACE2301BBM+H-VB 产品详细

产品简介:

**应用简介:**
VBsemi的ACE2301BBM+H-VB是一款P-Channel沟道场效应晶体管,适用于需要P-Channel沟道场效应晶体管的电路和模块。

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产品参数:

VBsemi的ACE2301BBM+H-VB是一款P-Channel沟道场效应晶体管,以下是重新生成的详细参数说明和应用简介:

**详细参数说明:**
- 封装类型:SOT23-3
- 沟道类型:P-Channel
- 额定电压:-20V
- 额定电流:-4A
- 导通电阻:80(mΩ)@VGS=2.5V、65(mΩ)@VGS=4.5V、60(mΩ)@VGS=10V;
VGS=12V
- 阈值电压:-0.81V

领域和模块应用:

1. **电源模块:** 由于ACE2301BBM+H-VB具有较低的导通电阻和适度的电流能力,适合用于电源模块,尤其是负载开关。

2. **电源逆变器:** 在需要P-Channel MOSFET进行逆变的电源逆变器中,ACE2301BBM+H-VB可以提供高效能力和可靠性。

3. **电流控制模块:** 由于其可靠的阈值电压和电流特性,可用于电流控制模块,如电流源电路。

4. **功率管理系统:** 作为功率开关元件,可以集成到功率管理系统中,提供有效的电源管理和控制。

请注意,具体的应用需根据设计要求和系统规格进行调整。在使用前,请查阅产品手册和规格书以确保正确的使用和性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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