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2305GN-HF-VB 产品详细

产品简介:


**应用简介:**
2305GN-HF-VB是一款P—Channel沟道场效应晶体管,适用于多种应用场景,其优异的性能参数使其在多个领域和模块中得到广泛应用。

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产品参数:

**丝印:** VB2290

**参数:**
- **封装:** SOT23-3
- **沟道类型:** P—Channel
- **最大漏极-源极电压(VDS):** -20V
- **最大漏极电流(ID):** -4A
- **开态电阻(RDS(ON)):** 80(mΩ)@VGS=2.5V、65(mΩ)@VGS=4.5V、60(mΩ)@VGS=10V;
VGS=12V
- **阈值电压(Vth):** -0.81V

领域和模块应用:

1. **电源管理模块:** 由于其P—Channel性质和低开态电阻,可用于电源管理模块,提供高效的电源开关和控制。

2. **电流控制模块:** 适用于电流控制电路,如电流源和电流控制开关,能够提供可靠的性能。

3. **信号开关:** 具有低阈值电压,适用于信号开关电路,为各种信号处理应用提供可靠的解决方案。

4. **便携式设备:** 小型SOT23-3封装设计使其特别适用于便携式设备,如智能手机、平板计算机等,为这些设备提供高效的电源管理。

综合而言,2305GN-HF-VB是一款多功能P—Channel MOSFET,其性能和封装设计使其适用于多种电子领域,从电源管理到信号开关,都能够提供可靠的性能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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