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TSM2313CX RF-VB 产品详细

产品简介:

TSM2313CX RF-VB是一款P沟道MOSFET,专为无线射频(RF)应用而设计。该器件采用SOT23-3封装,具有优异的高频特性和低电阻值,适用于各种RF功率放大器和射频开关设计。

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产品参数:

### 详细参数说明

- **类型**: P—Channel沟道MOSFET
- **最大电压**: -20V
- **最大电流**: -4A
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 80 mΩ @ VGS=2.5V
- 65 mΩ @ VGS=4.5V
- 60 mΩ @ VGS=10V
- **最大栅极源极电压 (VGS)**: ±12V
- **阈值电压 (Vth)**: -0.81V
- **封装类型**: SOT23-3

领域和模块应用:

### 适用领域和模块

**无线射频(RF)应用**: TSM2313CX RF-VB是专为RF设计的MOSFET,适用于各种无线射频应用,如无线通信设备、射频放大器、射频开关和天线驱动器等。其高频特性和低电阻值可提高RF系统的性能和效率。

**射频功率放大器**: 在射频功率放大器领域,TSM2313CX RF-VB可用于设计高性能的功率放大器,用于增强RF信号的功率和范围。适用于通信基站、无线局域网(WLAN)和射频传感器等应用。

**射频开关**: 作为射频开关,TSM2313CX RF-VB可用于实现快速的信号切换和调制,用于射频信号的选择和路由。适用于通信设备、雷达系统和卫星通信等领域。

**射频天线驱动**: 在射频天线驱动领域,TSM2313CX RF-VB可用于驱动和控制射频天线,实现射频信号的发射和接收。适用于无线电、电视和卫星通信等应用。

通过以上示例,可以看出TSM2313CX RF-VB在无线射频应用中具有广泛的应用潜力,为各种RF系统和设备提供高性能和可靠性的解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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