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TSM2301BCX RF-VB 产品详细

产品简介:

### 一、TSM2301BCX RF-VB 产品简介

TSM2301BCX RF-VB 是 VBsemi 提供的 P-Channel MOSFET,旨在为射频(RF)应用提供高性能的电源管理解决方案。具有低阈值电压和低导通电阻,适用于各种 RF 设备和模块。采用 SOT23-3 封装,适合于紧凑型电路设计和高密度布局。

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产品参数:

### 二、TSM2301BCX RF-VB 详细参数说明

- **品牌**: VBsemi
- **类型**: P-Channel MOSFET
- **最大电压 (VDS)**: -20V
- **最大电流 (ID)**: -4A
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 80 mΩ @ VGS = 2.5V
- 65 mΩ @ VGS = 4.5V
- 60 mΩ @ VGS = 10V
- **最大栅极电压 (VGS)**: ±12V
- **阈值电压 (Vth)**: -0.81V
- **封装**: SOT23-3

领域和模块应用:

### 三、应用领域和模块示例

TSM2301BCX RF-VB 适用于各种射频应用领域和模块,以下是一些具体示例:

1. **射频前端模块**:
- 用于无线通信设备中的射频前端放大器和功率放大器。
2. **无线传感器网络**:
- 用于环境监测、智能家居和工业自动化中的无线传感器节点。
3. **射频电源管理**:
- 在无线电设备和射频系统中,用于电源开关和功率控制。
4. **射频放大器**:
- 在广播、雷达和卫星通信系统中,用于 RF 信号放大和处理。
5. **射频开关**:
- 在射频调谐和信号切换应用中,用于 RF 信号的开关和路由。

TSM2301BCX RF-VB 的特性使其成为各种射频设备和模块的理想选择,确保设备在高性能的条件下稳定运行,并实现低功耗和高效能耗。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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