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SMG2327P-VB 产品详细

产品简介:

### SMG2327P-VB 产品简介

**品牌:** VBsemi

**型号:** SMG2327P-VB

SMG2327P-VB 是 VBsemi 生产的 P-沟道 MOSFET,具有-20V 的击穿电压和-4A 的连续漏极电流。该器件采用 SOT23-3 封装,具有低导通电阻和高性能,适用于各种功率管理和开关应用场合。

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产品参数:

### SMG2327P-VB 详细参数说明

- **沟道类型:** P-Channel
- **击穿电压 (Vds):** -20V
- **连续漏极电流 (Id):** -4A
- **导通电阻 (RDS(on)):**
- 80mΩ @ VGS = 2.5V
- 65mΩ @ VGS = 4.5V
- 60mΩ @ VGS = 10V
- **最大栅源电压 (Vgs):** 12V
- **阈值电压 (Vth):** -0.81V
- **封装:** SOT23-3

领域和模块应用:

### 适用领域和模块示例

1. **便携式电子设备:**
- SMG2327P-VB 可用于智能手机、平板计算机等便携式电子设备中的电源管理模块。其高性能和紧凑封装有助于延长电池寿命。

2. **电源开关:**
- 在低压直流电源开关电路中,该 MOSFET 可用作功率开关,实现高效的能量转换。适用于工控设备、嵌入式系统等领域。

3. **LED驱动:**
- 作为 LED 照明应用中 LED 驱动器的关键部件,SMG2327P-VB 可用于调节 LED 灯的亮度和控制开关操作。

4. **汽车电子:**
- 由于其耐高温和高电流特性,该 MOSFET 适用于汽车电子系统中的电源管理、电机控制等应用。

5. **工业控制:**
- 在工业自动化领域,SMG2327P-VB 可用于开关电源和负载控制,提供可靠的电源管理和开关操作功能。

SMG2327P-VB 具有高性能和多功能特性,适用于各种功率管理和开关应用场合,为电子系统提供可靠的性能和效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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